Переход на 14-нанометровый техпроцесс даёт ряд технологических преимуществ, среди которых:
Увеличение плотности транзисторов. 3dnews.ru Расстояние между диэлектрическими рёбрами уменьшилось с 60 до 42 нм, между затворами — с 90 до 70 нм, между соединениями — с 80 до 52 нм. 3dnews.ru
Повышение мощности управляющего тока и производительности транзистора. 3dnews.ru Увеличение высоты барьеров с 34 до 42 нм позволило достичь этого. 3dnews.ru
Снижение токов утечки. 3dnews.ru Это позволяет в рамках одного и того же техпроцесса производить разные чипы: от мобильных с низким энергопотреблением до серверных с высокой производительностью. 3dnews.ru
Сокращение энергопотребления. www.ferra.ru Например, благодаря снижению допустимой рабочей температуры чипа сократилось напряжение и уменьшились потери энергии, зависимые от температуры. www.ferra.ru
Снижение себестоимости изготовления чипов. ria.ru Схемы, изготовленные по 14-нанометровому техпроцессу, имеют более чем на 40% меньшие размеры. ria.ru
Примеры полезных ответов Поиска с Алисой на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Поиску с Алисой.