Некоторые современные технологии обработки полупроводниковых пластин для создания высокоточных микроэлектронных устройств:
- Ионное легирование. 1 Применяется при изготовлении полупроводниковых приборов с большой плотностью переходов, солнечных батарей и СВЧ-структур. 1 Выполняется в два этапа: в полупроводниковую пластину на вакуумной установке внедряют ионы, затем производят отжиг при высокой температуре. 1 В результате восстанавливается нарушенная структура полупроводника и ионы примеси занимают узлы кристаллической решётки. 1
- Получение омических контактов и создание пассивных элементов на пластине. 1 С помощью фотолитографической обработки в слое оксида, покрывающем области сформированных структур, вскрывают окна. 1 Затем методом вакуумного напыления всю поверхность пластины покрывают слоем металла, излишек металла удаляют, оставив его только на местах контактных площадок и разводки. 1
- Термическая диффузия. 1 Применяется для введения легирующих примесей в полупроводниковые пластины для получения противоположного, по сравнению с исходным материалом, типа проводимости либо элементов с более низким электрическим сопротивлением. 1
- Лазерная резка. 5 При лазерном скрайбировании резка на поверхности пластины образуется не механическим, а электрофизическим способом путём нагрева и испарения узкой полосы пластины (25–40 мкм). 5
- Электронно-лучевое скрайбирование. 5 Проводят остросфокусированным электронным лучом, который производит микрорасплавление локального участка поверхности пластины. 5
Также для обработки пластин используются установки для нанесения слоёв маски, удаления материала, модификации материала, очистки пластины и проверки пластины. 3