Некоторые современные технологии обработки полупроводниковых пластин для создания высокоточных микроэлектронных устройств:
- Ионное легирование. ru.wikipedia.org Применяется при изготовлении полупроводниковых приборов с большой плотностью переходов, солнечных батарей и СВЧ-структур. ru.wikipedia.org Выполняется в два этапа: в полупроводниковую пластину на вакуумной установке внедряют ионы, затем производят отжиг при высокой температуре. ru.wikipedia.org В результате восстанавливается нарушенная структура полупроводника и ионы примеси занимают узлы кристаллической решётки. ru.wikipedia.org
- Получение омических контактов и создание пассивных элементов на пластине. ru.wikipedia.org С помощью фотолитографической обработки в слое оксида, покрывающем области сформированных структур, вскрывают окна. ru.wikipedia.org Затем методом вакуумного напыления всю поверхность пластины покрывают слоем металла, излишек металла удаляют, оставив его только на местах контактных площадок и разводки. ru.wikipedia.org
- Термическая диффузия. ru.wikipedia.org Применяется для введения легирующих примесей в полупроводниковые пластины для получения противоположного, по сравнению с исходным материалом, типа проводимости либо элементов с более низким электрическим сопротивлением. ru.wikipedia.org
- Лазерная резка. overclockers.ru При лазерном скрайбировании резка на поверхности пластины образуется не механическим, а электрофизическим способом путём нагрева и испарения узкой полосы пластины (25–40 мкм). overclockers.ru
- Электронно-лучевое скрайбирование. overclockers.ru Проводят остросфокусированным электронным лучом, который производит микрорасплавление локального участка поверхности пластины. overclockers.ru
Также для обработки пластин используются установки для нанесения слоёв маски, удаления материала, модификации материала, очистки пластины и проверки пластины. club.dns-shop.ru