Некоторые ограничения для повышения степени интеграции полупроводниковых микросхем:

• Технологический фактор. 13 В полупроводниковой интегральной микросхеме нельзя заменить или даже исправить дефектный элемент. 1 При наличии хотя бы одного дефектного элемента микросхема целиком бракуется. 1 Плотность дефектов определяется качеством технологического процесса, прежде всего процесса фотолитографии. 1
• Уменьшение размеров элементов. 1 Это требует снижения потребляемой ими мощности, что влечёт за собой снижение быстродействия, помехоустойчивости и надёжности. 1
• Уменьшение объёмов, занимаемых элементами. 1 Флуктуации электрофизических свойств полупроводникового материала в микрообъёмах снижают воспроизводимость параметров элементов даже в пределах одного кристалла. 1
• Высокая плотность упаковки. 2 Затрудняет подвод мощности от источника питания и создание многослойной разводки. 2
• Теплоотвод. 2 Повышение плотности упаковки приводит к увеличению удельной мощности рассеяния, особенно в быстродействующих микросхемах. 2 Отвод таких мощностей требует разработки специальных конструкций корпусов с принудительным охлаждением. 2