Какие существуют методы внедрения примесных атомов в полупроводниковые материалы?

Некоторые методы внедрения примесных атомов в полупроводниковые материалы:

• Эпитаксия. vshph.com Позволяет наращивать на исходный кристалл слои с заданной концентрацией примесей. vshph.com Нужное количество примеси вводят в расплав, раствор или газовую фазу. bigenc.ru
• Радиационное легирование. bigenc.ru portal.tpu.ru Кристаллы полупроводников облучают ядерными частицами (нейтронами, протонами, γ-квантами и другими). portal.tpu.ru В результате ядерных реакций часть атомов основного вещества превращается в атомы других химических элементов. portal.tpu.ru
• Диффузия. bigenc.ru phys.vsu.ru В полупроводниковых кристаллах происходит направленное перемещение примесных атомов в сторону убывания их концентрации. phys.vsu.ru Из-за малых коэффициентов диффузии процесс проводят при высоких температурах в течение длительного времени. bigenc.ru
• Ионная имплантация. bigenc.ru vshph.com Позволяет вводить практически любую примесь и управлять её концентрацией и профилем распределения. bigenc.ru В процессе ионного легирования полупроводников возникают точечные дефекты структуры, области разупорядочения решётки, а при больших дозах — аморфизованные слои. bigenc.ru
• Сплавление. vshph.com Прилегающий к поверхности слой полупроводника расплавляют и в процессе последующей рекристаллизации (затвердевания) обогащают примесными атомами. vshph.com