Какие существуют методы внедрения примесных атомов в полупроводниковые материалы?

Некоторые методы внедрения примесных атомов в полупроводниковые материалы:

• Эпитаксия. 4 Позволяет наращивать на исходный кристалл слои с заданной концентрацией примесей. 4 Нужное количество примеси вводят в расплав, раствор или газовую фазу. 1
• Радиационное легирование. 12 Кристаллы полупроводников облучают ядерными частицами (нейтронами, протонами, γ-квантами и другими). 2 В результате ядерных реакций часть атомов основного вещества превращается в атомы других химических элементов. 2
• Диффузия. 13 В полупроводниковых кристаллах происходит направленное перемещение примесных атомов в сторону убывания их концентрации. 3 Из-за малых коэффициентов диффузии процесс проводят при высоких температурах в течение длительного времени. 1
• Ионная имплантация. 14 Позволяет вводить практически любую примесь и управлять её концентрацией и профилем распределения. 1 В процессе ионного легирования полупроводников возникают точечные дефекты структуры, области разупорядочения решётки, а при больших дозах — аморфизованные слои. 1
• Сплавление. 4 Прилегающий к поверхности слой полупроводника расплавляют и в процессе последующей рекристаллизации (затвердевания) обогащают примесными атомами. 4