Какие существуют методы уменьшения времени выключения силовых полупроводниковых устройств?

Некоторые методы уменьшения времени выключения силовых полупроводниковых устройств:

• Использование буферного слоя на стороне анода. www.eham.ru Этот метод позволяет снизить толщину прибора на 30% при том же прямом пробивном напряжении. www.eham.ru Буферный слой обеспечивает эффективное освобождение электронов во время выключения. www.eham.ru
• Превращение тиристорной структуры в транзисторную. www.eham.ru Этот метод позволяет реализовать быстрое выключение и делает прибор нечувствительным к эффекту du/dt. www.eham.ru
• Применение специальных схем искусственной коммутации. www.c-o-k.ru Они позволяют уменьшить время выключения СПП, когда тиристор необходимо выключить в произвольный момент времени. www.c-o-k.ru Обычно искусственная коммутация осуществляется за счёт пропускания через тиристор обратного тока. www.c-o-k.ru
• Использование драйвера затвора с более низким импедансом. electronics.stackexchange.com Такой драйвер способен быстрее разряжать ёмкость затвора. electronics.stackexchange.com
• Подгонка драйвера затвора. electronics.stackexchange.com Напряжение затвора должно быть немного ниже напряжения источника во время и после выключения затвора. electronics.stackexchange.com
• Использование конденсаторов, которые отключают питание. electronics.stackexchange.com Несколько устройств можно подключить параллельно, чтобы максимизировать ёмкость и минимизировать индуктивность. electronics.stackexchange.com