Некоторые методы тестирования интегральных схем на производстве:

• Пооперационный контроль. 1 После производственных процессов микросхем (эпитаксии и диффузии) проводят замеры толщин плёнок, глубин p-n переходов, поверхностной концентрации и других параметров на отдельных контрольных образцах. 1
• Визуальный контроль. 12 Осмотр пластины под микроскопом с многократным увеличением позволяет идентифицировать такие показатели, как состояние поверхности, избыточное или недостаточное травление, несоответствие толщины окисного слоя и другое. 1
• Функциональный контроль. 1 Проверка СБИС и БИС основана на измерении статистических и динамических параметров микросхемы на базе контрольно-тестовой таблицы, составленной разработчиками микросхемы при помощи компьютеризированных технологий. 1
• Параметрический контроль. 1 Метод используется для схем малой интеграции компонентов. 1 Основан на измерении базовых параметров микросхемы на постоянном токе, а также включает проверку выполнения логических функций и измерение выходных электрических сигналов. 1
• Диагностический контроль. 1 Эффективен при тестировании гибридных ИС, позволяет заменить вышедшие из строя элементы, находящиеся на общей подложке. 1
• Использование тестовых структур на подложке (пластине). 14 Специально сконструированные отдельные элементы ИМС позволяют контролировать параметры физической структуры микросхемы при различных значениях воздействующих факторов при её изготовлении. 4