Некоторые методы изоляции элементов в интегральных схемах:
Изоляция обратносмещённым p-n-переходом. 13 В основе метода лежит применение эпитаксиальной n-p структуры со скрытым n+ слоем. 3 Для изоляции по краям скрытого n+ слоя через маску проводят изолирующую разделительную диффузию акцепторной примеси на всю глубину эпитаксиального n- слоя. 3
Изоляция диэлектриком. 13 Для диэлектрической изоляции чаще всего используют двуокись кремния SiO2. 3 Можно применить и другие диэлектрические материалы, совместимые с технологией кремниевых ИМС (например, Si3N4, Al2O3). 3 Диэлектрическая изоляция позволяет снизить ёмкость между элементами ИС и подложки, на порядок снизить ток утечки изоляции. 13
Комбинированные способы изоляции. 3 В этих методах совмещаются методы изоляции обратно смещённым p-n-переходом и изоляции диэлектриком. 3 Самый распространённый комбинированный метод — изопланарная технология, которая применяется в основном для изоляции элементов ИС при изготовлении интегральных микросхем памяти. 3
Ответ сформирован YandexGPT на основе текстов выбранных сайтов. В нём могут быть неточности.
Примеры полезных ответов Нейро на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Нейро.