Некоторые методы изоляции элементов в интегральных схемах:
Изоляция обратносмещённым p-n-переходом. repo.ssau.ru stud.izhdv.ru В основе метода лежит применение эпитаксиальной n-p структуры со скрытым n+ слоем. stud.izhdv.ru Для изоляции по краям скрытого n+ слоя через маску проводят изолирующую разделительную диффузию акцепторной примеси на всю глубину эпитаксиального n- слоя. stud.izhdv.ru
Изоляция диэлектриком. repo.ssau.ru stud.izhdv.ru Для диэлектрической изоляции чаще всего используют двуокись кремния SiO2. stud.izhdv.ru Можно применить и другие диэлектрические материалы, совместимые с технологией кремниевых ИМС (например, Si3N4, Al2O3). stud.izhdv.ru Диэлектрическая изоляция позволяет снизить ёмкость между элементами ИС и подложки, на порядок снизить ток утечки изоляции. repo.ssau.ru stud.izhdv.ru
Комбинированные способы изоляции. stud.izhdv.ru В этих методах совмещаются методы изоляции обратно смещённым p-n-переходом и изоляции диэлектриком. stud.izhdv.ru Самый распространённый комбинированный метод — изопланарная технология, которая применяется в основном для изоляции элементов ИС при изготовлении интегральных микросхем памяти. stud.izhdv.ru
Примеры полезных ответов Поиска с Алисой на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Поиску с Алисой.