Некоторые альтернативные технологии флеш-памяти:

• Резистивная память с произвольным доступом (RRAM или ReRAM). 1 Запоминающая ячейка состоит из фрагмента материала, который может быть диэлектриком или проводником в зависимости от поданного на него напряжения. 3
• Ферроэлектрическая память (FeRAM). 3 В ней используются магнитные свойства материалов. 3
• Нанопамять (Nano-RAM). 3 Запоминание 0 или 1 осуществляется посредством ориентации нескольких нанотрубок под поверхностью электродов. 3
• Память на основе фазового перехода (PCM). 13 Полупроводники могут переходить из кристаллического состояния в аморфное и обратно. 3
• UltraRAM. 4 Сверхбыстрая память, созданная на замену флеш-накопителям. 4 Она надёжнее, быстрее и энергоэффективнее, чем SSD и жёсткие диски. 4