Некоторые преимущества GaN-зарядных устройств перед традиционными блоками питания:

• Высокая мощность и скорость зарядки. 1 GaN-зарядки могут предлагать мощность от 30 Вт до 100 Вт и даже выше, что значительно превышает возможности большинства традиционных кремниевых зарядок (18–25 Вт). 1
• Компактность. 14 GaN-транзисторы могут быть меньше по размеру, чем кремниевые, что позволяет производить более компактные зарядные устройства. 1
• Энергоэффективность. 1 Нитрид галлия обладает более низким сопротивлением по сравнению с кремнием, что приводит к меньшим потерям мощности во время работы устройства. 1
• Устойчивость к высоким температурам. 1 GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 200 °C), чем кремниевые (до 125 °C), что делает их надёжнее в экстремальных условиях. 1
• Многофункциональность. 4 Мощность GaN-зарядок позволяет легко питать сразу несколько устройств, поэтому они, как правило, оснащены двумя, а то и четырьмя-шестью портами для одновременной зарядки. 4
• Универсальность. 4 Экономия внутреннего пространства за счёт уменьшения пассивных компонентов позволяет установить контроллеры разных стандартов быстрой зарядки, поэтому GaN-адаптеры обычно поддерживают все основные протоколы и напряжения. 4