Какие преимущества имеет trenchFET технология в мощных MOSFET транзисторах?

Некоторые преимущества Trench-технологии в мощных MOSFET-транзисторах:

• Снижение сопротивления открытого канала. trt.ru sdelanounas.ru По сравнению с планарной технологией, Trench-технология позволяет уменьшить этот показатель в 2–3 раза. sdelanounas.ru Более низкое сопротивление в открытом состоянии снижает тепловое рассеивание на канале. sdelanounas.ru
• Увеличение компактности кристалла. trt.ru Это достигается за счёт того, что затвор формируется не в плоскости, а в объёме — по стенкам V-образной канавки в подложке. sdelanounas.ru
• Улучшение динамических характеристик. sdelanounas.ru Также Trench-технология обеспечивает меньшую мощность управления и высокую устойчивость к лавинному пробою. sdelanounas.ru
• Возможность изготовления в менее габаритных корпусах. sdelanounas.ru Транзисторы по Trench-технологии могут пропускать через себя большие токи. sdelanounas.ru
• Расширение границ применения. trt.ru Например, транзисторы, изготовленные по технологии Trench 6, в корпусе LFPAK, увеличивают надёжность транзисторов и расширяют области их использования. trt.ru
• Снижение стоимости. trt.ru Это связано с тем, что отпадает необходимость в использовании навесных элементов, так как в транзисторе есть встроенный датчик тока для защиты выходных цепей устройств от перегрузок по току и коротких замыканий. trt.ru