Некоторые преимущества зарядных устройств на основе GaN-технологии:

• Высокая мощность и скорость зарядки. 1 GaN-зарядки могут предлагать мощность от 30 Вт до 100 Вт и даже выше, что значительно превышает возможности большинства традиционных кремниевых зарядок (18–25 Вт). 1
• Компактность. 13 GaN-транзисторы могут быть меньше по размеру, чем кремниевые, что позволяет производить более компактные зарядные устройства. 1
• Энергоэффективность. 1 Нитрид галлия обладает более низким сопротивлением по сравнению с кремнием, что приводит к меньшим потерям мощности во время работы устройства. 1
• Устойчивость к высоким температурам. 1 GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 200 °C), чем кремниевые (до 125 °C), что делает их надёжнее в экстремальных условиях. 1
• Многофункциональность. 2 Мощность GaN-зарядок позволяет легко питать сразу несколько устройств, поэтому они, как правило, оснащены несколькими портами для одновременной зарядки. 2
• Экологичность. 3 GaN-зарядки сберегают больше электроэнергии, компактнее при утилизации, а их производство выбрасывает в окружающую среду на треть меньше углекислого газа. 3

Некоторые недостатки зарядных устройств на основе GaN-технологии:

• Высокая стоимость. 1 Производство GaN-компонентов обычно дороже, чем традиционных кремниевых аналогов, что приводит к более высокой цене для конечного потребителя. 1
• Совместимость. 1 В некоторых случаях могут возникать проблемы совместимости GaN-зарядных устройств с некоторыми типами устаревших электронных устройств. 1
• Меньшее рабочее напряжение. 1 Использование меньшего рабочего напряжения в GaN-транзисторах сильно ограничивает области их применения из-за несоответствия требованиям некоторых устройств, а также увеличивает потребление тока для достижения нужных мощностей. 1
• Теплопроводность. 1 GaN-транзисторы греются на 15% меньше, чем кремниевые аналоги, и почти в 4 раза меньше, чем транзисторы из карбида кремния. 1 Это преимущество может стать недостатком при перегреве, ведь низкая теплопроводность означает, что быстро отвести лишнее тепло от кристалла становится проблематично. 1