Какие преимущества и недостатки имеет арсенид галлия по сравнению с кремнием в полупроводниковой промышленности?

Некоторые преимущества арсенида галлия (GaAs) перед кремнием (Si) в полупроводниковой промышленности:

• Высокая подвижность электронов. 3dnews.ru ru.wikipedia.org Это позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц. ru.wikipedia.org nsportal.ru
• Меньшая генерация шума. ru.wikipedia.org Полупроводниковые приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые приборы на той же частоте. ru.wikipedia.org nsportal.ru
• Возможность работы при большей мощности. ru.wikipedia.org Это связано с более высокой напряжённостью электрического поля пробоя в GaAs по сравнению с Si. ru.wikipedia.org
• Радиационная стойкость. 3dnews.ru ru.wikipedia.org Полупроводниковые приборы на основе GaAs могут использоваться в условиях радиационного излучения, например, в солнечных батареях, работающих в космосе. ru.wikipedia.org
• Прямая зонная структура. components.ru Это позволяет создавать эффективные светодиоды и лазеры. components.ru

Некоторые недостатки GaAs по сравнению с Si:

• Высокая стоимость производства. 3dnews.ru components.ru Пластины-заготовки из GaAs примерно в пять раз дороже кремниевых того же диаметра. 3dnews.ru
• Отсутствие оксида при взаимодействии с кислородом. 3dnews.ru В ходе изготовления микросхем приходится использовать сторонние вещества для формирования изолирующих слоёв, в то время как на поверхности чистого кремния диэлектрическая оксидная плёнка образуется на воздухе сама собой. 3dnews.ru
• Хрупкость. 3dnews.ru components.ru «Слитки» GaAs крайне хрупки и нуждаются в осторожном обращении при механической обработке. 3dnews.ru
• Плохая теплопроводность. 3dnews.ru dipaul.ru Из-за этого возрастает риск перегрева электроники. dipaul.ru