Некоторые преимущества использования технологии GaN в зарядных устройствах:

• Компактность. 1 Устройства формата GaN не нуждаются в огромном количестве компонентов, как кремниевые зарядки, а потому при сравнимых показателях мощности они чаще всего примерно на треть меньше по габаритам. 1
• Многофункциональность. 1 Обычно GaN-зарядки укомплектованы сразу несколькими разъёмами. 1 Благодаря этому можно одновременно заряжать не одно устройство, а два, три или даже четыре. 1
• Энергоэффективность. 13 У GaN выше коэффициент полезного действия (КПД) и ниже энергопотребление. 1 В долгосрочной перспективе это свойство может способствовать снижению затрат на электроэнергию. 3
• Минимальный нагрев. 1 Нитрид галлия менее подвержен тепловыделению, что безопаснее в использовании и проще работает с высокой мощностью в маленьком корпусе. 1
• Устойчивость к высоким температурам. 3 GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 200 °C), чем кремниевые (до 125 °C), что делает их надёжнее в экстремальных условиях. 3