Какие преимущества дает использование технологии GaN в зарядных устройствах?

Некоторые преимущества использования технологии GaN в зарядных устройствах:

• Компактность. trashbox.ru Устройства формата GaN не нуждаются в огромном количестве компонентов, как кремниевые зарядки, а потому при сравнимых показателях мощности они чаще всего примерно на треть меньше по габаритам. trashbox.ru
• Многофункциональность. trashbox.ru Обычно GaN-зарядки укомплектованы сразу несколькими разъёмами. trashbox.ru Благодаря этому можно одновременно заряжать не одно устройство, а два, три или даже четыре. trashbox.ru
• Энергоэффективность. trashbox.ru club.dns-shop.ru У GaN выше коэффициент полезного действия (КПД) и ниже энергопотребление. trashbox.ru В долгосрочной перспективе это свойство может способствовать снижению затрат на электроэнергию. club.dns-shop.ru
• Минимальный нагрев. trashbox.ru Нитрид галлия менее подвержен тепловыделению, что безопаснее в использовании и проще работает с высокой мощностью в маленьком корпусе. trashbox.ru
• Устойчивость к высоким температурам. club.dns-shop.ru GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 200 °C), чем кремниевые (до 125 °C), что делает их надёжнее в экстремальных условиях. club.dns-shop.ru