Некоторые преимущества использования SOI (Silicon on Insulator, «кремний на изоляторе») технологии в полупроводниковой промышленности:
- Повышение быстродействия. 1 Изоляция элементов от подложки диэлектриком позволяет поднять верхний предел рабочих температур до 300–400 °C. 1
- Увеличение плотности упаковки. 1 Не возникает необходимости в создании изолирующих канавок между соседними элементами, что позволяет повысить плотность упаковки в 1,5–3 раза и исключить из процесса несколько литографических этапов. 1
- Упрощение технологического процесса. 1 Это повышает процент выхода годных изделий и снижает их стоимость. 1
- Радиационная стойкость. 14 Изготовленные по технологии SOI устройства обладают значительно большей радиационной стойкостью, что важно для применения электроники в космической и атомной технике. 1
- Улучшение энергоэффективности. 3 Снижение паразитной ёмкости и оптимизация энергопотребления способствуют увеличению срока работы батарей портативных устройств. 3
- Повышение скорости работы. 3 Устройства на основе SOI работают быстрее благодаря снижению паразитных эффектов и улучшенной электрической изоляции. 3
- Возможность создания многослойных структур. 2 Технология позволяет изменять механические и электрические свойства материала SOI и поддерживать их с высокой заданной точностью. 2