Какие преимущества дает использование GaN-транзисторов в микроволновых устройствах?

Некоторые преимущества использования GaN-транзисторов в микроволновых устройствах:

• Высокая удельная мощность. biakom.com GaN-транзисторы могут обеспечивать до 10 Вт и более на 1 мм ширины затвора, что на порядок превышает удельную выходную мощность СВЧ-транзисторов, выполненных по GaAs-технологии. biakom.com
• Уменьшение габаритов и веса. biakom.com Высокая плотность мощности GaN-транзисторов позволяет существенно сократить размеры и вес твердотельного усилителя радара, что важно для авиационных и космических применений. biakom.com
• Улучшение параметров СВЧ-усилителей мощности. journals.ioffe.ru GaN-транзисторы используются в выходных каналах фазированных антенных решёток, заменяя при этом более громоздкие и менее эффективные усилители мощности на клистронах или лампах бегущей волны. journals.ioffe.ru
• Повышение коэффициента полезного действия. journals.ioffe.ru Оптимизация работы СВЧ-усилителей с помощью GaN-транзисторов позволяет уменьшить рассеиваемую мощность и, как следствие, повысить КПД. journals.ioffe.ru
• Упрощение системы охлаждения. ptelectronics.ru Коэффициент теплопроводности материала GaN в 8–10 раз выше, чем у GaAs, что обеспечивает лучший и быстрый отвод тепла от чипа и более высокую плотность мощности. biakom.com