Некоторые основные принципы работы флеш-памяти:

• Запись данных. 1 Когда нужно сохранить информацию, контроллер подаёт напряжение на транзистор. 1 Электроны проходят через изолятор и попадают на плавающий затвор, изменяя его заряд. 1 Это определяет, будет ли ячейка читаться как «0» или «1». 1
• Чтение данных. 1 При чтении контроллер измеряет уровень заряда плавающего затвора. 1 Если заряд превышает пороговое значение, ячейка считается запрограммированной («0»), если нет — стёртой («1»). 1
• Удаление данных. 1 Чтобы стереть данные, контроллер подаёт высокое напряжение в обратном направлении, «вытягивая» электроны с плавающего затвора. 1 Стирание возможно только целыми блоками, поэтому флеш-память требует особого алгоритма управления (wear leveling) для равномерного износа. 1
• Контроль за сохранностью данных. 3 Контроллер памяти следит за тем, чтобы заряды в транзисторах со временем не пропадали. 3 Для этого он во время работы периодически обновляет заряды у нужных транзисторов — чтобы данные на карте памяти не пропали из-за утечки зарядов. 3