Какие методы используются для выращивания кристаллов GaAs для LED?

Для выращивания кристаллов GaAs в промышленном производстве, в том числе для изготовления светодиодов (LED), используют следующие методы: astrohn.ru met.misis.ru

• Метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава слоем борного ангидрида (Liquid Encapsulated Czochralski — LEC). astrohn.ru met.misis.ru Основной вариант технологии — совмещённый процесс синтеза GaAs и выращивания монокристалла в установках высокого давления (60–70 атм при синтезе и 20–30 атм при выращивании). www.electronics.ru met.misis.ru
• Метод горизонтальной направленной кристаллизации в вариантах «по Бриджмену» (Horizontal Bridgman — HB) или «кристаллизации в движущемся градиенте температуры» (Horizontal Gradient Freeze — HGF). astrohn.ru met.misis.ru
• Метод вертикальной направленной кристаллизации (ВНК) в тех же двух вариантах (Vertical Bridgman — VB и Vertical Gradient Freeze — VGF). astrohn.ru met.misis.ru

Также для получения приборов на базе GaAs используют методы эпитаксии металлоорганических соединений из газовой фазы (MOCVD), высокотемпературной газовой эпитаксии (HT CVD) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложку GaAs. astrohn.ru