Для изготовления современных зарядных устройств в качестве полупроводникового материала в большинстве случаев используется кремний. 13
Однако есть и другой материал — нитрид галлия (GaN). 15 Он обладает рядом преимуществ: может выдерживать более высокое напряжение и температуру, выделяет меньше тепла, что позволяет делать зарядные устройства компактнее и не перегреваться. 1
Зарядные устройства на основе GaN могут работать до 100 раз быстрее, чем традиционные кремниевые устройства. 2