Для выращивания монокристаллов кремния, необходимых для производства электроники, используют метод Чохральского. www.electronics.ru studizba.com
Процесс включает следующие этапы: publications.hse.ru
- Тщательно протравленный, промытый и высушенный материал загружают в тигель, камеру предварительно очищают, герметизируют и откачивают до получения вакуума, продувают чистым инертным газом. publications.hse.ru
- Тигель устанавливают на нужной высоте по отношению к нагревателю и приводят во вращение. publications.hse.ru
- При постепенном повышении мощности, подаваемой на нагреватель, материал доводят до плавления и выдерживают некоторое время в перегретом состоянии. publications.hse.ru
- Для обеспечения предварительного прогрева затравки её подводят к зеркалу расплава в горячую зону. publications.hse.ru
- Когда зеркало расплава очистится, включают систему автоматического регулирования температур, которая доводит температуру расплава до значения, немного превышающего температуру плавления материала. publications.hse.ru
- Затравку медленно подводят к зеркалу расплава, конец затравки опускают в расплав на 2–3 мм, а шток останавливают. publications.hse.ru
- После прогрева затравки в течение 3–5 минут приступают к выращиванию монокристалла, вытягивая шток с затравкой. publications.hse.ru
Размер получаемого кристалла регулируют, изменяя температуру расплава и скорость вытягивания. polymus.ru
В промышленных условиях монокристаллические слитки кремния получают также методом бестигельной зонной плавки. studizba.com