Как устроена технология 3D NAND?

3D NAND (также известна как вертикальная NAND, V-NAND) — это тип энергонезависимой флеш-памяти, в которой ячейки расположены вертикально для увеличения плотности хранения данных. 1

Трёхмерная ячейка 3D V-NAND представляет собой цилиндр, внешний слой которого является управляющим затвором, а внутренний — изолятором. 3 Ячейки располагаются друг над другом и формируют стек, внутри которого проходит общий для всех ячеек цилиндрический канал из поликристаллического кремния. 3 Количество ячеек в стеке эквивалентно количеству слоёв флеш-памяти. 3

Для решения проблемы перетекания заряда между соседними ячейками в 3D-памяти используется технология Charge Trap Flash (CTF), что в переводе с английского означает «ловушка заряда». 23 Её суть заключается в том, что заряд помещается не в плавающий затвор, а в изолированную область ячейки из непроводящего материала, например нитрида кремния (SiN). 3 Тем самым снижается вероятность «утечки» заряда и повышается надёжность ячеек. 3

Ещё одна особенность технологии — использование технологии «CMOS Under the Array». 23 Её смысл состоит в том, что вся управляющая логика размещается не рядом с массивом памяти, а под ним. 23 Подобный дизайн позволяет освободить до 20% площади чипа и разместить на этом месте ячейки памяти. 3