Как устроена эпитаксиально-планарная технология изготовления биполярных транзисторов?

Эпитаксиально-планарная технология изготовления биполярных транзисторов включает несколько этапов: cchgeu.ru

1. Подготовка подложки. cchgeu.ru В качестве исходной подложки используется равномерно легированная пластина р-кремния. cchgeu.ru Одну сторону пластины освобождают от окисла и тщательно очищают. cchgeu.ru
2. Эпитаксия кремния n-типа. cchgeu.ru Поверхность эпислоя окисляют, методом фотолитографии вскрывают окна в виде узких замкнутых дорожек по будущему контуру коллекторных и изолирующих областей транзистора. cchgeu.ru
3. Диффузия акцепторной примеси. cchgeu.ru Через окна проводится диффузия акцепторной примеси до смыкания её с р-областью подложки. cchgeu.ru В результате получаются изолированные друг от друга островки равномерно легированного эпитаксиального n-кремния. cchgeu.ru
4. Формирование базовых и эмиттерных областей. cchgeu.ru В пластине формируют диффузионные базовые и эмиттерные области, а также контакты и межсоединения. cchgeu.ru
5. Создание межэлементных связей. cchgeu.ru В слое окисла вновь вскрывают окна, и плоскость пластины покрывают сплошной металлической плёнкой (обычно алюминиевой). cchgeu.ru В местах, свободных от окисла, образуется контакт с соответствующими областями кремния. cchgeu.ru
6. Заключительный цикл фотолитографии. cchgeu.ru Создаёт систему межсоединений, а также контакты по периферии кристаллов. cchgeu.ru Эти контакты используются для коммутации кристаллов с внешними выводами корпуса. cchgeu.ru

Особенность этой технологии в том, что коллекторные области создают эпитаксиальным наращиванием слоя полупроводникового материала, а базовые и эмиттерные — введением легирующих примесных атомов в эпитаксиальный слой. studfile.net