Тепловой пробой негативно влияет на долговечность электронных компонентов. 15

В дискретных полупроводниковых приборах основным результатом воздействия повышенных температур является тепловой пробой p-n-переходов. 1 В интегральных микросхемах и процессорах помимо теплового пробоя p-n-переходов возможны также пробой диэлектриков тонкоплёночных конденсаторов, нестабильность и деградация электрических параметров, обрывы и короткие замыкания металлизации. 1

В керамических конденсаторах перегрев может привести к микротрещинам, что в дальнейшем приведёт к поглощению влаги и, в конечном итоге, к короткому замыканию. 3 В электролитических конденсаторах выход из строя из-за термического напряжения является результатом чрезмерного нагрева, разлагающего электролит, и накопления газа, который увеличивает внутреннее давление. 3

В твердотельных танталовых конденсаторах перегрев из-за скачков тока может со временем привести к разрушению материала и неактивному повреждению диэлектрика. 3

Таким образом, тепловой пробой может сократить срок службы электронных компонентов, вызвав снижение производительности, повышенное энергопотребление и преждевременный отказ. 5