Как технология нитрида галлия в зарядных устройствах влияет на нагрев смартфонов?

Технология нитрида галлия (GaN) в зарядных устройствах снижает нагрев за счёт меньшего выделения тепла по сравнению с зарядками на основе кремния. club.dns-shop.ru kod.ru

Это происходит благодаря тому, что GaN-транзисторы меньше нагреваются при импульсном переключении во время работы. kod.ru В результате GaN-зарядка стабильно держит высокую мощность даже под нагрузкой, не сбрасывая скорость, когда в комнате жарко или в розетке скачет напряжение. hi-news.ru

Однако у этой технологии есть и минус: низкая теплопроводность GaN-транзисторов может стать недостатком при перегреве, так как быстро отвести лишнее тепло от кристалла становится проблематично. club.dns-shop.ru