Как технология EUV-фотолитографии влияет на развитие микроэлектроники?

Технология EUV-фотолитографии влияет на развитие микроэлектроники несколькими способами:

• Позволяет изготавливать микросхемы с чрезвычайно малыми размерами элементов. dzen.ru В стандартных EUV-фотолитографах размеры элементов составляют от 13 нм, в машинах с высокой числовой апертурой — до 8 нм. dzen.ru
• Способствует созданию микросхем с многоуровневыми межсоединениями и контактами. russianelectronics.ru www.syntezmicro.ru Для технологий 7, 5 и 3 нм количество слоёв, требующих применения EUV-сканеров, увеличивается с 5–6 до 10 и даже 20. russianelectronics.ru www.syntezmicro.ru
• Стимулирует переход к вертикальному размещению элементов. russianelectronics.ru Улучшение производительности чипа и сокращение площади достигается за счёт вертикального, а не горизонтального размещения элементов. russianelectronics.ru

Однако у технологии есть и недостатки: очертания отдельных компонентов транзистора на чипах, изготовленных EUV-способом, характеризуются нечёткими, грубыми линиями. 3dnews.ru Из-за этого возрастает вероятность получения полупроводниковых элементов ненадлежащего качества. 3dnews.ru