Сублимация используется в производстве полупроводников для выращивания слитков карбида кремния (SiC). 1 Процесс происходит в специализированных печах, где тигли, заполненные порошком SiC и затравочными кристаллами, нагреваются до температуры 2500 °C. 1 Контролируемая среда внутри печи, включая низкое давление и подачу специальных газов, способствует росту кристаллов SiC. 1

Также сублимация применяется для выращивания эпитаксиальных слоёв совершенной структуры. 4 Это происходит путём резистивного нагрева источника испаряемого материала. 4 Достоинство метода в том, что при таком нагреве можно резко изменять температуру источников и, тем самым, концентрацию примесей в структуре. 4