Процесс изготовления транзистора включает следующие этапы: 1

1. Подготовка подложки. 1 На гладкой поверхности подложки из полупроводника кремния формируется тонкий слой оксида кремния, на который осаждается металл (или другой хорошо проводящий ток материал). 1
2. Формирование истока и стока. 1 В тонком поверхностном слое подложки из монокристалла кремния формируются две неперекрывающиеся области с повышенной электропроводностью (малым сопротивлением электрическому току) — исток и сток. 1 Промежуток между ними называется каналом, и это — наиболее важная часть транзистора, поскольку именно через неё протекает рабочий ток транзистора. 1
3. Нанесение слоя оксида кремния. 1 Сверху на канал наносится тончайший слой оксида кремния (или другого диэлектрика), при этом области стока и истока оставляются открытыми. 1
4. Напыление затвора. 1 На оксид напыляется хорошо проводящий материал (условно назовём его металлом), который называется затвором (а оксид под ним — соответственно подзатворным диэлектриком). 1
5. Подготовка проводников. 1 К областям стока, истока и затвора подводят (напыляют) проводники (медь, алюминий или золото). 1
6. Покрытие структуры толстым слоем диэлектрика. 1 Всю структуру покрывают толстым слоем диэлектрика для защиты от внешних воздействий. 1

Более подробное описание процесса изготовления транзистора можно найти в видео на сайтах rutube.ru и YouTube. 23