Некоторые этапы развития технологий производства фотоэлектрических элементов:

• Открытие фотоэлектрического эффекта. 1 В 1887 году Генрих Герц исследовал фотопроводимость ультрафиолетового света и открыл фотоэлектрический эффект. 1
• Создание первого практического фотоэлемента. 4 В 1923 году советский учёный Олег Лосев использовал карбид кремния в качестве полупроводника и получил ток при освещении его светом. 4 Однако устройство имело низкую эффективность и не получило широкого применения. 4
• Открытие полупроводниковых материалов. 4 В 1939 году японский учёный Хидео Хосоно обнаружил, что селен обладает фотопроводимостью, то есть его проводимость увеличивается при освещении. 4 Это открытие легло в основу создания первых фотоэлементов на основе селена. 4
• Создание кремниевых фотоэлементов. 4 В 1950-х годах были созданы первые кремниевые фотоэлементы, которые имели более высокую эффективность и стали основой для создания современных солнечных батарей. 4
• Разработка фотоэлементов на основе арсенида галлия. 4 В 1960-е годы были разработаны фотоэлементы на основе арсенида галлия, которые имели ещё более высокую эффективность. 4
• Создание тонкоплёночных фотоэлементов. 2 Элементы второго поколения изготавливаются из аморфного, микрокристаллического или поликристаллического кремния, а также многокомпонентных полупроводников различных групп и типов. 2
• Создание органических фотоэлементов. 2 Элементы третьего поколения стараются решить такие проблемы, как снизить токсичность производства и отходов, себестоимость, материальные и энергетические затраты, увеличить скорость изготовления и упростить этот процесс, а также достичь максимальной стабильности работы солнечной батареи в различных погодных условиях. 2
• Исследование фотоэлементов на основе перовскитов. 4 В последние годы активно исследуются фотоэлементы на основе перовскитов, которые обладают высокой эффективностью и низкой стоимостью производства. 4