Производители постоянно совершенствуют технологию энергонезависимой памяти, увеличивая её объём и уменьшая габаритные размеры. 3 Разрабатываются новые технологии, меняются материалы и принципы записи, чтения, обработки информации. 3

Некоторые направления развития технологии энергонезависимой памяти:

• Резистивная память с произвольным доступом (RRAM, ReRAM). 12 В её основе лежит свойство диэлектриков создавать внутри себя проводящие каналы при приложении высокого напряжения. 1 Изменив уровень напряжения, проводящий канал можно разрушить, а затем создать снова. 1
• Память на основе фазового перехода (PCM). 15 Считается перспективной технологией, которая может прийти на замену энергозависимой оперативной памяти. 1 Изменение фазы вещества исключает возможные сбои в виде электрических помех, а минимальные размеры стабильных ячеек — до 5 нм, что обеспечивает глубокую масштабируемость технологии. 1
• Магниторезистивная память (MRAM). 5 Отдельные малосерийные продукты, включая SSD, на базе этой памяти уже выпускаются. 2 Однако масштабирование её производства затруднено, так как требуется массовое оснащение фабрик оборудованием, кардинально отличным от того, что применяется для изготовления чипов с переносом электрического заряда. 2

Также ведутся разработки полностью оптических чипов в качестве альтернативной энергонезависимой памяти. 3 Такая технология поможет значительно увеличить эффективность и быстродействие существующих систем. 3