Технология 2D-транзисторов на основе висмута разработана исследователями из Пекинского университета. 24 Она основана на использовании полевого транзистора Gate-all-around (GAAFET) с применением материалов на основе висмута. 4

Некоторые особенности технологии:

• Использование двумерных полупроводниковых материалов. 2 Они имеют одинаковую атомную толщину и более высокую подвижность по сравнению с кремнием. 2
• Разработка собственных материалов на основе висмута. 24 В частности, Bi2O2Se и Bi2SeO5, которые служат в качестве полупроводника и высокодиэлектрического оксидного материала соответственно. 2
• Применение структуры GAAFET. 24 Она устраняет необходимость в «ребре», используемом в конструкции FinFET, увеличивая площадь контакта между затвором и каналом. 2
• Использование высокой диэлектрической проницаемости материалов. 2 Это снижает потери энергии, минимизирует требования к напряжению и повышает вычислительную мощность, сокращая при этом энергопотребление. 2

Некоторые характеристики разработанных транзисторов:

• Скорость работы. 3 Новые транзисторы работают на 40% быстрее по сравнению с ультрасовременными 3-нм решениями TSMC и Intel. 3
• Энергоэффективность. 3 Потребление энергии снижено на 10%. 3
• Отсутствие токов утечки. 3 Высокая диэлектрическая проницаемость используемых материалов позволяет создавать сверхтонкие структуры затворов, что исключает токи утечки и снижает напряжение переключения. 3