Как работает технология 2D-транзисторов на основе висмута?

Технология 2D-транзисторов на основе висмута разработана исследователями из Пекинского университета. russianelectronics.ru hightech.fm Она основана на использовании полевого транзистора Gate-all-around (GAAFET) с применением материалов на основе висмута. hightech.fm

Некоторые особенности технологии:

• Использование двумерных полупроводниковых материалов. russianelectronics.ru Они имеют одинаковую атомную толщину и более высокую подвижность по сравнению с кремнием. russianelectronics.ru
• Разработка собственных материалов на основе висмута. russianelectronics.ru hightech.fm В частности, Bi2O2Se и Bi2SeO5, которые служат в качестве полупроводника и высокодиэлектрического оксидного материала соответственно. russianelectronics.ru
• Применение структуры GAAFET. russianelectronics.ru hightech.fm Она устраняет необходимость в «ребре», используемом в конструкции FinFET, увеличивая площадь контакта между затвором и каналом. russianelectronics.ru
• Использование высокой диэлектрической проницаемости материалов. russianelectronics.ru Это снижает потери энергии, минимизирует требования к напряжению и повышает вычислительную мощность, сокращая при этом энергопотребление. russianelectronics.ru

Некоторые характеристики разработанных транзисторов:

• Скорость работы. dzen.ru Новые транзисторы работают на 40% быстрее по сравнению с ультрасовременными 3-нм решениями TSMC и Intel. dzen.ru
• Энергоэффективность. dzen.ru Потребление энергии снижено на 10%. dzen.ru
• Отсутствие токов утечки. dzen.ru Высокая диэлектрическая проницаемость используемых материалов позволяет создавать сверхтонкие структуры затворов, что исключает токи утечки и снижает напряжение переключения. dzen.ru