Система хранения данных во флэш-накопителях работает на основе технологии хранения заряда в изолированных ячейках. ssl-team.com Каждая ячейка может хранить один или несколько битов информации в зависимости от типа памяти: ruscard.org
- SLC (Single-Level Cell) — хранит 1 бит (0 или 1). ruscard.org
- MLC (Multi-Level Cell) — хранит 2 бита (4 возможных состояния). ruscard.org
- TLC (Triple-Level Cell) — хранит 3 бита (8 состояний). ruscard.org
- QLC (Quad-Level Cell) — хранит 4 бита (16 состояний). ruscard.org
Основные компоненты флеш-памяти: ruscard.org
- Транзисторы с плавающим затвором — ключевой элемент хранения данных. ruscard.org
- Контроллер — управляет чтением, записью и удалением информации. ruscard.org
- Буфер обмена — временно хранит данные перед записью. ruscard.org
Ячейки объединены в страницы (обычно по 4 КБ), а страницы — в блоки (от 128 КБ до нескольких МБ). ruscard.org Запись происходит на уровне страниц, а стирание — только целыми блоками. ruscard.org
Принцип работы флеш-памяти: ruscard.org
- Запись данных. ruscard.org Когда нужно сохранить информацию, контроллер подаёт напряжение на транзистор. ruscard.org Электроны проходят через изолятор и попадают на плавающий затвор, изменяя его заряд. ruscard.org Это определяет, будет ли ячейка читаться как «0» или «1». ruscard.org
- Чтение данных. ruscard.org При чтении контроллер измеряет уровень заряда плавающего затвора. ruscard.org Если заряд превышает пороговое значение, ячейка считается запрограммированной («0»), если нет — стёртой («1»). ruscard.org
- Удаление данных. ruscard.org Чтобы стереть данные, контроллер подаёт высокое напряжение в обратном направлении, «вытягивая» электроны с плавающего затвора. ruscard.org
Процессы записи и стирания данных связаны с постепенным износом ячеек памяти. ssl-team.com Каждая ячейка имеет ограниченное количество циклов перезаписи, поэтому для равномерного износа флеш-память требует особого алгоритма управления (wear leveling). ssl-team.com ruscard.org