Флеш-память работает благодаря электронам на плавающих затворах транзисторов. 3 Эти электроны могут оставаться там очень долгое время и без питания. 3

Процесс записи информации происходит так: 5

1. На управляющий затвор подаётся напряжение. 5
2. Электроны начинают притягиваться вверх и достигают плавающего затвора, преодолевая при этом препятствие из оксида. 5
3. Оксид выступает в качестве изолятора, благодаря ему электроны не двигаются дальше плавающего затвора. 5

Процесс стирания ячейки выглядит наоборот: 5

1. Напряжение подаётся на канал. 5
2. Электроны перемещаются от плавающего затвора через оксид обратно посредством заземления управляющего затвора. 5

Присутствие или отсутствие заряда в транзисторе рассматривается как логический ноль или логическая единица в двоичной системе счисления. 1

Контроллер памяти следит за тем, чтобы заряды в транзисторах со временем не пропадали. 4 Для этого он во время работы периодически обновляет заряды у нужных транзисторов — чтобы данные на карте памяти не пропали из-за утечки зарядов. 4