Процесс производства карбида кремния включает несколько шагов: www.silicon-carbides.com
- Подготовка сырья. ru.semicorex.com Для производства используют кремний и углерод высокой чистоты. ru.semicorex.com Кремний обычно получают из кварцевого песка, а углерод — из нефтяного кокса или каменноугольной смолы. ru.semicorex.com
- Очистка. ru.semicorex.com Сырьё очищают от примесей. ru.semicorex.com Общие методы очистки включают химическую обработку и термические процессы. ru.semicorex.com
- Приготовление порошка. www.silicon-carbides.com Очищенные материалы превращают в мелкие порошки. www.silicon-carbides.com Порошки кремния и углерода смешивают в точных пропорциях для достижения желаемого состава карбида кремния. www.silicon-carbides.com Затем порошки измельчают для получения однородного распределения частиц по размерам. www.silicon-carbides.com
- Смешивание и формирование. www.silicon-carbides.com Порошки карбида кремния смешивают со связующими и добавками для улучшения их удобоукладываемости и формуемости. www.silicon-carbides.com Затем смеси придают желаемую форму с использованием различных методов, таких как прессование, экструзия или шликерное литье. www.silicon-carbides.com
- Спекание. www.silicon-carbides.com Формованный карбид кремния нагревают при высоких температурах, обычно в контролируемой атмосфере или в условиях вакуума. www.silicon-carbides.com Во время спекания порошки соединяются вместе, в результате получается плотный и твёрдый материал с улучшенными механическими свойствами. www.silicon-carbides.com
- Отделка и контроль качества. www.silicon-carbides.com После спекания изделия из карбида кремния проходят дополнительные этапы обработки и отделки для удовлетворения конкретных требований. www.silicon-carbides.com Это может включать шлифовку, полировку или покрытие для достижения желаемой чистоты поверхности и точности размеров. www.silicon-carbides.com
Кроме процесса Ачесона, для производства карбида кремния используют, например, метод физического переноса паров (PVT), который включает сублимацию порошков кремния и углерода при высоких температурах. ru.semicorex.com Также существует процесс Лели, в котором порошкообразный SiC возгоняется в атмосфере аргона при 2500 °C и осаждается на более холодной подложке в виде чешуйчатых монокристаллов. ru.ruwiki.ru