Метод CVD (химическое осаждение из газовой фазы) позволяет выращивать искусственные алмазы при температуре 700–1300 °С и низком давлении (ниже 1 атмосферы) в вакуумной установке. 3

Процесс включает в себя: 1

1. Подготовку подложки. 1 Ищут подходящий материал, правильно ориентируют его кристаллографическую плоскость, очищают и шлифуют алмазными порошками, подбирают оптимальную температуру подложки (около 800 °C). 1
2. Заполнение рабочей камеры смесью газов. 1 Газовая атмосфера содержит источник углерода (обычно метан) и водород, часто в соотношении 1 к 99. 1 Водород необходим, так как переводит углерод в неалмазном состоянии в газообразное соединение. 1
3. Возбуждение газовой смеси. 1 Газовая смесь в рабочей камере ионизируется для образования химически активных радикалов при помощи микроволнового излучения, электрической дуги, лазера или каким-либо другим способом. 1

В результате на поверхности алмаза-затравки получаются новые слои из осаждённого углерода. 2 Рост алмаза происходит слой за слоем поверх затравочного кристалла, в результате этого процесса формируется алмазная пластина. 3