Процесс производства алмазных покрытий методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) включает в себя несколько этапов: 3

1. Подготовка подложки. 1 Включает в себя поиск подходящего материала, правильную ориентацию его кристаллографической плоскости, очистку, часто шлифовку алмазными порошками, подбор оптимальной температуры подложки (около 800 °C). 1
2. Заполнение рабочей камеры смесью газов. 1 Газовая атмосфера содержит источник углерода (обычно метан) и водород, часто в соотношении 1 к 99. 1 Водород необходим, так как селективно переводит углерод в неалмазном состоянии в газообразное соединение. 1
3. Возбуждение газовой смеси. 1 Газовая смесь в рабочей камере ионизируется для образования химически активных радикалов при помощи микроволнового излучения, электрической дуги, лазера или каким-либо другим способом. 1
4. Осаждение активированных радикалов углерода на подложку. 3 Происходит зарождение, а затем рост алмазной плёнки. 3
5. Десорбция. 3 Газообразные продукты реакции десорбируются с поверхности и уносятся прочь. 3

Отличительной особенностью CVD-метода является послойное нанесение покрытий и плёнок, которые равномерно покрывают всю доступную поверхность подложки. 2