Выращивание искусственных сапфиров в промышленных масштабах происходит несколькими методами: rostox-n.com
- Метод Степанова. rostox-n.com При росте кристалла расплав поступает из тигля по капиллярным каналам-фильерам специального формообразователя к его рабочей поверхности. rostox-n.com При достижении оптимальных условий теплового поля затравочный кристалл контактирует с жидким мениском. rostox-n.com Расплав, поступая через капиллярный канал на поверхность формообразователя, кристаллизуясь, формирует профиль растущего кристалла, например, трубу, пластину. rostox-n.com
- Метод Киропулоса. rostox-n.com Затравка крепится в водоохлаждаемом кристаллодержателе и контактирует с расплавом, расположенным в тигле. rostox-n.com Рассчитанные параметры снижения температуры и скорости вытягивания приводят к разращиванию кристалла в виде полусферы непосредственно в тигле. rostox-n.com По мере роста кристалл расширяется до стенок тигля, после чего вместе с кристаллодержателем поднимается на несколько миллиметров. rostox-n.com Далее кристалл снова растёт до очередного разрастания до стенок тигля, последующего подъёма и т. д.. rostox-n.com Для уменьшения внутренних напряжений кристалл после окончания процесса выращивания отжигается в течение длительного времени непосредственно в ростовой установке. rostox-n.com
- Метод Чохральского. rostox-n.com Монокристалл выращивается путём постепенного вытягивания из расплава. rostox-n.com При этом температура расплава или постоянна, или меняется по определённому закону. rostox-n.com
В основе процесса выращивания сапфира происходит в тепловой зоне, где графитовый нагреватель расплавляет сырьё до температуры 2050 °С. spbvedomosti.ru Туда помещается формообразователь, который и задаёт форму кристалла на стадии роста. spbvedomosti.ru