Технологическое получение пластин для изготовления микросхем включает следующие этапы:

1. Выращивание исходного материала (заготовки). 4 Для большинства интегральных схем это монокристаллический кремний очень высокой чистоты. 4 Его выращивают из расплава в виде слитка, которому в процессе последующей механической обработки придают форму цилиндра диаметром до 300 мм и длиной до двух метров. 4
2. Резка слитка на пластины. 4 Затем этот монокристалл распиливают на пластины толщиной от 400 до 600 мкм. 4
3. Полировка поверхности пластины. 4 Поверхность пластины полируется до зеркального блеска с использованием методов химической и механической полировки. 4
4. Легирование. 4 Введение определённого количества тех или иных примесей к чистому кремнию называют легированием. 4 Это позволяет изменять электрические свойства кремния, в частности его удельное сопротивление. 4
5. Создание электрической схемы. 4 На пластине создают электрическое соединение различных компонентов (транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.) для формирования из них необходимой электрической схемы. 4
6. Проверка микросхем. 3 Транзисторы на кремниевой пластине проходят проверку на работоспособность, чтобы выявить брак. 3
7. Разделение пластин на кристаллы. 2 Пластину механически разделяют (разрезанием) на отдельные кристаллы. 2

Производственный цикл изготовления микросхем включает несколько сотен операций и может продолжаться несколько недель. 3