Производство современных плёночных резисторов включает следующие этапы: 3
- Химически чистую подложку нагревают в вакууме до 140 °С. 3
- Через маску на подложку напыляют технологические шины и контактные площадки: последовательно наносят слой ванадия толщиной 1000 Å, слой алюминия толщиной 1,8 мкм и слой никеля толщиной 1000 Å. 3
- Через другую маску наносят слои резистивного материала из сплава тантала с алюминием толщиной 0,5 мкм и напыляют технологические перемычки из сплава алюминия с танталом толщиной 3000 Å. 3
- Наращивают окисную плёнку на резистивных слоях анодированием в течение 30 минут в кислородной плазме тлеющего разряда при одновременном подводе формовочного потенциала. 3
- Снимают формовочный потенциал, гасят газовую плазму, вакуумируют камеру и наносят защитный слой моноокиси кремния. 3
При производстве толстоплёночных резисторов основной технологией является спекание трафаретно нанесённых на подложку паст, содержащих керамические и металлические включения. 1