Производство модулей оперативной памяти DDR3 происходит с использованием 90-нм техпроцесса, который позволяет снизить эксплуатационные токи и напряжения (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2). 39 Для сокращения утечки тока применяются транзисторы с двойным затвором (Dual-gate). 9

Модули DDR2 производятся в новом форм-факторе, в виде 240-контактных модулей DIMM. 5 Чипы DDR2 изготавливаются с использованием упаковки типа FBGA (Fine Ball Grid Array), которая позволяет достичь больших ёмкостей микросхем при меньшем размере и улучшенных электрических и термических характеристиках. 5

Также при производстве модулей DDR3 для промышленного оборудования используются высококачественные материалы и проводится многократное тестирование на всех этапах. 10