Процесс создания микросхем на производстве включает несколько этапов: 14

1. Подготовка. 1 Исходный материал (кремниевая пластина) полируется для устранения даже мельчайших дефектов на поверхности. 1
2. Создание защитного слоя диоксида кремния. 1 Он образуется при окислении поверхности кремниевой пластины. 1
3. Нанесение фоторезиста. 1 Это полимерный фоточувствительный слой, меняющий свойства под влиянием излучения. 1
4. Облучение ультрафиолетом. 1 Засветка фоторезиста происходит через маску, которая фактически является трафаретом. 1
5. Экспонирование. 1 Часть фоторезиста, находившаяся под прозрачными участками маски, удаляется вместе с диоксидом кремния специальными химикатами. 1
6. Эпитаксия. 1 На пластине с нанесённым первичным рисунком создаётся ещё несколько слоёв диоксида кремния. 1 На одних из них процедура нанесения рисунка повторяется, а другие подвергаются воздействию ионизированных плазм, нагреваются, покрываются металлом. 1 Каждый этап меняет свойства слоя, формируя конкретную модель готового изделия. 1
7. Нанесение слоя металла. 1 С помощью вакуумного напыления поверхность получившегося полуфабриката покрывают металлическим слоем в несколько этапов. 1
8. Проверка. 1 Транзисторы на кремниевой пластине проходят проверку на работоспособность, чтобы выявить брак. 1 Затем пластина разрезается на отдельные микросхемы, которые передают на упаковку. 1