Процесс ионного травления проходит следующим образом:

1. При ионно-плазменном травлении подложку помещают на изолированный от камеры стол, как правило, охлаждаемый, на который подают высокочастотное напряжение относительно стенок камеры. 12 Рабочий газ подают сверху через специальное устройство — газораспределитель. 1
2. При подаче газа и высокочастотного напряжения между столом и стенками возникает ёмкостной высокочастотный разряд. 12 Поскольку площадь стола меньше площади стенок камеры, на нём (а также на поверхности подложки, обращённой к плазме) образуется отрицательный потенциал автоматического смещения, что обеспечивает поток положительно заряженных ионов из плазмы. 12
3. Совместное действие физического процесса ионного распыления и химических реакций ионной активации приводит к разрушению материала подложки, либо слоя на подложке с образованием летучих соединений и десорбции их с поверхности. 1

При ионно-лучевом травлении удаление поверхностных слоёв осуществляется в результате физического распыления энергетическими ионами инертных газов или ионами, которые химически не реагируют с обрабатываемым материалом. 3 Однако, в отличие от ионно-плазменного травления, при ионно-лучевом поверхность обрабатываемого материала не контактирует с плазмой, которая выполняет роль только источника ионов. 3