Монокристаллический кремний для электроники получают с помощью плавления высокочистого полупроводникового кремния и использования затравки для инициирования формирования непрерывного монокристалла. 2

Один из распространённых методов получения монокристаллического кремния — метод Чохральского. 24 Он включает следующие этапы: 2

1. Точно ориентированный стержневой затравочный кристалл погружают в расплавленный кремний. 2
2. Стержень медленно вытягивают вверх и одновременно вращают. 2
3. Вытянутый материал затвердевает в монокристаллический цилиндрический слиток длиной до 2 метров и весом в несколько сотен килограммов. 2

Другие методы получения монокристаллического кремния:

• Зонная плавка. 2 Стержень из поликристаллического кремния пропускают через спираль радиочастотного нагрева, которая создаёт локализованную зону расплава, из которой вырастает затравочный кристаллический слиток. 2
• Методы Бриджмена. 2 Тигель перемещают через температурный градиент для охлаждения его с конца контейнера, содержащего затравку. 2

В России для получения монокристаллического кремния используют следующую технологию: 5

1. Из порошкообразного металлургического кремния или диоксида кремния синтезируют моносилан. 5
2. Полученный материал преобразуют в поликристаллический кремний. 5
3. Полуфабрикат обрабатывают специальным образом и получают требуемый монокристаллический кремний с удельным электрическим сопротивлением свыше 1000 Ом-сантиметров. 5