Лазерное геттерирование положительно влияет на чистоту полупроводниковых материалов путем уменьшения концентрации неконтролируемых примесей и дефектов. 2

Суть процесса в том, что на обратной стороне кремниевых пластин с помощью лазера создаётся нарушенный слой в виде растра линий. 2 При активационной термообработке этот слой собирает на себя неконтролируемые, быстродиффундирующие примеси, уменьшая их количество у рабочей стороны, где формируются элементы микросхемы. 2

Также лазерное геттерирование приводит к созданию на нерабочей стороне пластин дефектов, способных собирать загрязнения (примеси металлов) и тем самым обеспечивать более высокое качество рабочей стороны, на которой формируется интегральная микросхема. 4

Таким образом, применение лазерного геттерирования позволяет устранить деградацию электрических параметров интегральных микросхем и в два раза увеличить выход годных изделий. 1