Как изобрести принципиально новую оперативную память, DDR7, ОЗУ, RAM на новых материалах, отличных от кремния Samsung DDR5, DDR6!?

Для изобретения принципиально новой оперативной памяти, в том числе DDR7, на новых материалах, отличных от кремния, необходимо изучить принципы работы памяти всех предыдущих поколений. yandex.ru Это поможет понять, что ещё можно улучшить. yandex.ru

Также нужно исследовать работу памяти, её логических ячеек и отдельных транзисторов на базе новых материалов. yandex.ru Например, компания Samsung для производства чипов оперативной памяти DDR5 DRAM использует диэлектрик со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (High-k), который помогает увеличить электрическую ёмкость ячейки. 3dnews.ru

Кроме того, для снижения энергопотребления в транзисторы микросхем DDR5 внедряют металлические затворы high-k (HKMG) вместо стандартных кремниевых. {10-host} Это материалы типа диоксида циркония и диоксида гафния с диэлектрической проницаемостью около 25, тогда как у диоксида кремния она 3,9. {10-host}

Для разработки принципиально новой оперативной памяти рекомендуется обратиться к специалистам в области электроники.