Для изобретения принципиально новой оперативной памяти, в том числе DDR7, на новых материалах, отличных от кремния, необходимо изучить принципы работы памяти всех предыдущих поколений. 1 Это поможет понять, что ещё можно улучшить. 1

Также нужно исследовать работу памяти, её логических ячеек и отдельных транзисторов на базе новых материалов. 1 Например, компания Samsung для производства чипов оперативной памяти DDR5 DRAM использует диэлектрик со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (High-k), который помогает увеличить электрическую ёмкость ячейки. 3

Кроме того, для снижения энергопотребления в транзисторы микросхем DDR5 внедряют металлические затворы high-k (HKMG) вместо стандартных кремниевых. 10 Это материалы типа диоксида циркония и диоксида гафния с диэлектрической проницаемостью около 25, тогда как у диоксида кремния она 3,9. 10

Для разработки принципиально новой оперативной памяти рекомендуется обратиться к специалистам в области электроники.