Некоторые изменения в технологиях производства транзисторов за последние десятилетия:

• В 2011 году появились транзисторы FinFET (fin field effect). 1 В этой 3D-конструкции узкий канал вытянут вверх наподобие плавника, что позволило значительно увеличить длину канала. 4 Затвор уже не нависает над каналом, а огибает его с трёх сторон. 4
• С 2017 года началась разработка GAA (gate-all-around). 1 Эта технология позволяет транзисторам проводить больший ток при сохранении относительно небольшого размера: производительность повышается на 25%, а энергопотребление снижается на 50%. 1
• Корпорация Intel первой в индустрии начала использовать инновационное сочетание новых материалов для 45-нанометрового производственного процесса. 3 Для создания диэлектрика затвора транзистора применяется новый материал high-k, а для электрода затвора — новое сочетание металлических материалов. 3 Это позволяет значительно сократить токи утечки транзисторов и повысить их производительность. 3