Диффузия используется в производстве полупроводников для внедрения примесей в твёрдое тело при высокой температуре (800 °С для германия и 1250 °С для кремния). 1 В результате происходит изменение типа проводимости полупроводника. 1
Некоторые методы диффузии в производстве полупроводников:
- Метод запаянной ампулы. 1 Пластины германия и кремния вместе с веществом, которое должно диффундировать, заключают в кварцевую ампулу, которую откачивают и запаивают. 1 Затем её помещают в печь и нагревают до необходимой температуры в течение времени, обеспечивающего проникновение диффузанта на заданную глубину. 1
- Диффузия из газа-носителя. 1 Печь имеет зону низкой температуры, где располагается диффузант, и высокотемпературную зону — зону диффузии. 1 Пластины кремния помещаются в высокотемпературной зоне и омываются проходящим по трубе газом-носителем, насыщенным парами диффузанта. 1
- Диффузия из рекристаллизованного слоя. 1 Применяется в производстве диффузионно-сплавных приборов, главным образом транзисторов. 1 В полупроводник сначала вплавляют сплав, содержащий диффузант. 1 После получения однородного сплава с полупроводником температуру несколько снижают, и на границе расплав — твёрдое тело выпадает некоторое количество полупроводника, захватывая с собой часть примеси. 1
Также в производстве полупроводников используют диффузию с полимерными диффузантами. 4 Процесс разбивается на две стадии: формирование на поверхности стеклообразной плёнки диффузанта и диффузия легирующей примеси из этой плёнки в полупроводник. 4