Электростатический разряд негативно влияет на электронные устройства и технику. tech-e.ru emc-e.ru Без должных мер защиты он способен привести к деградации кристаллов микросхем или полному выходу их из строя. emc-e.ru
Некоторые механизмы воздействия электростатического разряда на электронные компоненты:
- Пробой диэлектрика. emc-e.ru Возникает, когда электростатический разряд превышает пробивное напряжение диэлектрика. emc-e.ru В результате пробоя диэлектрик разрушается, появляется паразитная проводимость в месте удара. emc-e.ru
- Температурное разрушение. emc-e.ru Даже когда напряжение разряда недостаточно для пробоя диэлектрика, мощности разряда может хватить для локального разогрева кристалла до температуры плавления кремния и выше, тогда произойдёт локальное плавление полупроводника. emc-e.ru
- Параметрическая деградация. emc-e.ru В высокоскоростных, прецизионных микросхемах электростатический разряд становится причиной деградации кристалла, последующих ошибок в функционировании или отказа. emc-e.ru Из-за постепенной деградации кристалла происходит снижение производительности и надёжности устройств. emc-e.ru
Чувствительность устройств к электростатическим разрядам зависит от используемой технологии. tech-e.ru Например, для MOSFET-устройств разрушающий потенциал лежит в диапазоне 10–100 В, для биполярных устройств это значение составляет 300–7000 В, а для КМОП-устройств — 150–3000 В. tech-e.ru
Для защиты электронных устройств от электростатических разрядов разработчики закладывают специальные меры ещё на этапе проектирования электронных схем. tech-e.ru