Электромагнитный импульс (ЭМИ) может повредить современные электронные системы. 12

Некоторые последствия воздействия ЭМИ:

• Повреждение полупроводниковых приборов. 1 В устройствах на базе биполярных транзисторов пробой происходит из-за обратного смещения перехода, вызванного ЭМИ. 1 В устройствах с полевым транзистором, например МОП-транзисторе, возникают очень сильные электрические поля, которые прорываются через диэлектрик затвора. 1
• Разрыв мелких соединений. 1 Соединения, расположенные ближе друг к другу, легко разрываются и быстро плавятся. 1
• Повреждение логических схем. 1 Скачки энергии легко повреждают логические схемы внутри электронной системы. 1
• Локальное повышение температуры. 3

Ущерб от ЭМИ зависит от его мощности, расстояния до источника импульса, угла линии удара, размера и формы объектов, которые получают и собирают ЭМИ, степени изоляции приборов и устройств от вещей, которые могут собирать и передавать энергию ЭМИ, и других факторов. 5

Для защиты электроники от ЭМИ используют, например, экранирование отдельных помещений и радиоэлектронного оборудования, поглощение излучения, фильтрацию электрических сигналов, ограничители импульсов и другие средства. 3