Да, есть информация об использовании лазера в создании интегральных микросхем и их производных. 23

Некоторые области применения:

• Маркировка корпусов интегральных схем. 2 Для этого используются лазеры ИК-диапазона, позволяющие выполнять маркировку глубиной в пределах 30–50 мкм. 2 Для полупроводниковых устройств с малыми габаритами предпочтительны источники излучения зелёного или УФ-диапазона, глубина маркировки которыми составляет менее 10 мкм. 2
• Маркировка подложек интегральных схем. 2 С помощью лазера на подложки наносятся двумерные матричные коды в целях отслеживания и контроля качества продукции. 2
• Разделение пластин на кристаллы. 2 Метод заключается в нанесении лазером скрайберных рисок на поверхность пластин посредством испарения материала и дальнейшего разламывания по ним. 2
• Лазерное геттерирование. 3 С его помощью создают геттерирующий слой на кремниевых пластинах, что позволяет уменьшить коэффициент заполнения площади пластины линиями скольжения и снизить концентрацию загрязняющих примесей в объёме кремния. 3