Чем отличаются полупроводниковые устройства SiC от традиционных кремниевых компонентов?

Некоторые отличия полупроводниковых устройств на основе карбида кремния (SiC) от традиционных кремниевых компонентов:

• Более высокая эффективность. www.silicon-carbides.com Устройства SiC имеют меньшие потери проводимости и переключения, что может привести к значительной экономии энергии, снижению требований к охлаждению и уменьшению размеров системы. www.silicon-carbides.com
• Работа при более высоких температурах. www.silicon-carbides.com Теплопроводность SiC примерно в три раза выше, чем у кремния. www.silicon-carbides.com Это позволяет устройствам SiC более эффективно рассеивать тепло и работать при более высоких температурах. www.silicon-carbides.com
• Более высокие рейтинги напряжения. www.silicon-carbides.com Устройства SiC могут обрабатывать более высокие напряжения, чем их кремниевые аналоги. www.silicon-carbides.com Это позволяет разрабатывать высоковольтные энергосистемы с меньшим количеством компонентов и уменьшать сложность системы. www.silicon-carbides.com
• Более быстрая скорость переключения. www.silicon-carbides.com Широкая полоса SiC обеспечивает более быстрые скорости переключения и снижение потерь переключения по сравнению с устройствами на основе кремния. www.silicon-carbides.com Это приводит к повышению общей эффективности системы, особенно в высокочастотных приложениях. www.silicon-carbides.com
• Устойчивость к жёсткой радиации. 303421.selcdn.ru Карбид кремния чрезвычайно устойчив к жёсткой радиации, поэтому её воздействие не приводит к деградации электронных свойств кристалла. 303421.selcdn.ru

Однако у устройств SiC есть и недостатки: процесс производства SiC сложнее и дороже, чем у традиционных кремниевых устройств. www.silicon-carbides.com