Некоторые отличия ионного легирования от диффузии при создании p-n-переходов в кремнии:

• Источник энергии: при диффузии энергия для проникновения примеси вглубь кристалла обеспечивается за счёт высокой температуры (более 1100 °С). 1 При ионном легировании энергия, необходимая для проникновения, сообщается электрическим полем с напряжением до нескольких сотен киловольт. 2
• Концентрация примеси: при диффузии максимальная концентрация находится на поверхности. 2 При ионном легировании максимальная концентрация примеси возникает не на поверхности, а на глубине, которая зависит от энергии ионного пучка и массы ионов. 2
• Дозирование примеси: при диффузии невозможно точно и воспроизводимо дозировать внедряемую примесь. 2 При ионном легировании это возможно за счёт контроля ионного тока пучка и времени облучения. 2
• Выбор легирующей примеси: при диффузии нельзя использовать широкий спектр материалов и легирующих элементов из-за зависимости коэффициента диффузии и растворимости примеси от температуры. 3 При ионном легировании нет необходимости учитывать степень растворимости примесей и коэффициент диффузии, поэтому можно выбирать легирующую примесь независимо от вида полупроводникового материала. 4